सोल, 25 जुलाई (युआईटीवी/आईएएनएस)- सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने सोमवार को एक समारोह में 3-नैनोमीटर सेमीकंडक्टर्स की पहली शिपमेंट को चिह्न्ति किया, जो अब तक के सबसे उन्नत और कुशल चिप्स बनाने की दौड़ में एक महत्वपूर्ण मील का पत्थर है। अगली पीढ़ी के 3 एनएम चिप्स गेट-ऑल-अराउंड (जीएए) तकनीक पर बनाए गए हैं, जिसके बारे में सैमसंग ने कहा है कि यह अंतत: 35 प्रतिशत तक के एरिया रिडक्शन की अनुमति देगा, जबकि 30 प्रतिशत उच्च प्रदर्शन और मौजूदा फिनफेट प्रक्रिया की तुलना में 50 प्रतिशत कम बिजली की खपत प्रदान करेगा।
योनहाप समाचार एजेंसी की रिपोर्ट के अनुसार, सैमसंग ने कहा कि 3एनएम प्रोसेस नोड की पहली पीढ़ी में 16 प्रतिशत क्षेत्र में कमी, 23 प्रतिशत उच्च प्रदर्शन और 45 प्रतिशत कम बिजली की खपत हासिल हुई है।
परिष्कृत चिपमेकिंग तकनीक में प्रगति से सैमसंग को अधिक शक्तिशाली चिप्स की तलाश में आने की उम्मीद है जो छोटे, तेज और अधिक कुशल प्रौद्योगिकी प्रोडक्टस को सक्षम करते हैं।
सैमसंग के डिवाइस सॉल्यूशंस डिवीजन के सीईओ क्यूंग के-ह्यून ने कहा, “सैमसंग ने 3 एनएम चिप्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत के साथ आज फाउंड्री व्यवसाय में एक नया अध्याय खोला है।”
क्यूंग ने कहा, “फिनफेट प्रक्रिया के विकल्प के रूप में उम्मीद से पहले जीएए तकनीक का विकास एक अभिनव सफलता है।”
सैमसंग ने कहा कि उसने 2000 के दशक की शुरुआत में जीएए तकनीक विकसित करना शुरू किया और 2017 में इसे 3 एनएम नोड पर लागू करने में सफल रहा।
टेक दिग्गज ने कहा कि उच्च प्रदर्शन कंप्यूटिंग 3 एनएम जीएए तकनीक पर आधारित पहला प्रोडक्ट है और यह अन्य उत्पाद श्रेणियों में एप्लिकेशन का विस्तार करने की योजना बना रहा है।
दुनिया की सबसे बड़ी अनुबंध चिप निर्माता टीएसएमसी ने कहा कि वह साल की दूसरी छमाही में 3 एनएम चिप्स का बड़े पैमाने पर प्रोडक्शन शुरू करेगी।
दुनिया की सबसे बड़ी मेमोरी चिप निर्माता और दूसरी सबसे बड़ी फाउंड्री कंपनी सैमसंग ने कहा है कि उसका 2 एनएम प्रोसेस नोड विकास के शुरुआती चरण में था, जिसमें बड़े पैमाने पर प्रोडक्शन 2025 के लिए योजना बनाई गई थी।